npn三极管导通条件（npn型3极管导通条件）

大家好，今天来为大家解答关于npn三极管导通条件这个问题的知识，还有对于npn型3极管导通条件也是一样，很多人还不知道是什么意思，今天就让我来为大家分享这个问题，现在让我们一起来看看吧！

1三极管的导通条件是啥?

三极管的导通条件 截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时IB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。

三极管为锗PNP三极管，导通条件为：发射结正偏导通。即：UbUe 且 Ub-Ue≤-0.3V。三极管截止图中：Ube=Ub-Ue=0.3V，UbUe，三极管截止。

三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，继硅管加0.7V；锗管加0.2V。

基极电位比发射极高0.7V以上，集电极 电位 比基 极高0.7V以上。

PNP管的导通条件是，UeUb，UcUb时可以可以导通三极管导通满足两个条件：（1）发射结正向偏置；（2）集电结反向偏置。同时满足才能导通。如果PNP管的E接+5V，只要B小于3V，C点电压为负且远远小于B点电压即可。

2三极管导通条件是什么?

三极管的导通条件 截止区：其特征是发射结电压小于开启电压且集电结反向偏置。对于共射电路，UBE=UON且UCEUBE 。此时IB=0，而iC=ICEO。小功率硅管的ICEO+在1uA以下，锗管的ICEO小于几十微安。

三极管为锗PNP三极管，导通条件为：发射结正偏导通。即：UbUe 且 Ub-Ue≤-0.3V。三极管截止图中：Ube=Ub-Ue=0.3V，UbUe，三极管截止。

三极管的导通条件是：发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，继硅管加0.7V；锗管加0.2V。

3npn三极管导通条件是什么?

NPN三极管导通条件是 VbVe，Vin=0时Vb=0不满足导通条件，Q1截止。

npn三极管的导通条件是发射结加正向电压，集电结加反向电压。发射结加正向电压，就是基极和发射极之间所加电压Ube，是按箭头的指向加PN结的电压，即硅管加0.7V。

导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。

当这些条件满足时，NPN三极管就会处于导通状态。PNP三极管：基极与发射极间负向偏置：使得基极与发射极之间的电压为负，并且小于一定的电压阈值（通常约为-0.7V）。

NPN型晶体管导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。PNP管同理。

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